Samsung ya fabrica en masa sus nuevos semiconductores de 3 nanómetros, una innovación que permitirá hacer más eficientes y más verdes los dispositivos electrónicos.
Hasta ahora, se venían utilizando los de 5 nanómetros, pero la nueva generación utiliza estos nuevos circuitos integrados con una tecnología de transistores de entrada múltiple llamada Multi-Bridge-Channel (MBCFET), que tienen amplias ventajas sobre FinFET, usada para los de 5 nanómetros.
La primera versión que se está produciendo permite «reducir el consumo de energía hasta en un 45%, mejorar el rendimiento en un 23% y reducir su área en un 16%”. Pero la siguiente generación, todavía en desarrollo, ocuparán un 35% menos de espacio físico, con una mejora del rendimiento del 30% y un ahorro de energía del 50%, de acuerdo a lo informado por la empresa surcoreana.
Pero no sólo Samsung Electronics (el mayor fabricante de chips de memoria del mundo y el segundo mayor productor de circuitos) avanzará en este sentido. La taiwanesa TSMC (el líder de mercado en circuitos) también planea fabricar sus semiconductores de 3 nanómetros en este segundo semestre de 2022, e incluso ya está investigando los semiconductores de 2 nanómetros, con la meta de producirlos masivamente en 2025.